Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Глинчук К$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 12 Представлено документи з 1 до 12 |
||||
| 1. | Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 176-189. - Библиогр.: 28 назв. - рус. В специально нелегированных полуизолирующих кристаллах арсенида галлия с относительно низким содержанием остаточных примесей и дефектов детально изучены зависимости интенсивности и формы экситонных полос люминесценции от температуры и уровня возбуждения. Это позволило уточнить ряд характеристик полос люминесценции, обусловленных аннигиляцией свободных и связанных экситонов. Проведено сравнение полученных данных с известными в литературе. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 58-63. - Библиогр.: 11 назв. - рус. Изучены при 77 К зависимости положения максимума и полуширины краевой полосы люминесценции в полуизолирующих специально нелегированных кристаллах GaAs от содержания в них фоновых легкоионизируемых примесей C и Si. Установлено, что повышение их концентрации приводит к сдвигу в низкоэнергетическую область положения ее максимума и увеличению ее полуширины. Наблюдаемый эффект в основном связан с уширением экситонной составляющей краевой полосы люминесценции вследствие повышения эффективности излучательной аннигиляции свободных экситонов при их взаимодействии с легкоионизируемыми примесями C и Si. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Глинчук К. Д. Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 166-169. - Библиогр.: 9 назв. - рус. Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное наиболее вероятно связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка - дивакансия галлия. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 95-109. - Библиогр.: 20 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Глинчук К. Д. Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 37-48. - Библиогр.: 17 назв. - рус. Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции (ФЛ) полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900 °C в течение 20 - 90 мин. Показано, что указанное термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) краевой спектр ФЛ исходных кристаллов. Отмеченные явления связаны со стимулированными термообработкой изменениями в примесном составе излучаемых кристаллов. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Глинчук К. Д. Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 204-212. - Библиогр.: 13 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей обусловленных углеродом полос люминесценции в GaAs от температуры и интенсивности возбуждения / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 42-56. - Библиогр.: 14 назв. - рус.
| |||
| 8. | Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей краевых полос люминесценции в CdTe и GaAs от интенсивности возбуждения / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 120-135. - Библиогр.: 10 назв. - рус. Проанализированы наблюдаемые при низких температурах и низких интенсивностях возбуждения в прямозонных полупроводниках CdTe и GaAs зависимости интенсивностей краевых полос люминесценции от интенсивности возбуждения. Показано, что они могут быть последовательно объяснены, если предположить, что в формировании краевой люминесценции в теллуриде кадмия и арсениде галлия принимают участие как изолированные, так и связанные акцепторы и доноры. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Глинчук К. Д. Особенности определения концентраций мелких акцепторов и доноров в прямозонных полупроводниках из анализа низкотемпературных спектров краевой люминесценции / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 72-90. - Библиогр.: 8 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Глинчук К. Д. Влияние легирования различными примесями на спектрометрические характеристики кристаллов $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te} (IBxD = 0,1), используемых для изготовления детекторов ядерного излучения / К. Д. Глинчук, А. С. Герасименко, В. К. Комарь, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук, С. В. Сулима, И. С. Терзин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2007. - Вып. 42. - С. 65-71. - Библиогр.: 9 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Глинчук К. Д. О люминесцентном методе оценки качества кристаллов $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}, используемых для создания эффективных детекторов ядерного излучения / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2008. - Вып. 43. - С. 44-48. - Библиогр.: 5 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Глинчук К. Д. Вплив $E bold gamma-опромінення на фотолюмінесценцію кристалів $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te} / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, Ю. М. Насєка, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецький, О. М. Стрільчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войціховська, В. О. Данильченко // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 7. - С. 777-783. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського